杭州电磁兼容-威阔-电磁兼容试验

浪涌抗扰度试验所依据的是iec61000-4-5:2005，电磁兼容测试，对应是gb/t17626.2:200x<电磁兼容 试验和测量技术浪涌（冲击）抗扰度试验>。    浪涌（冲击）抗扰度试验就是模拟雷击带来的干扰影响，杭州电磁兼容，但需要---的是，考核设备电磁兼容性能的浪涌抗扰度试验不同于考核设备高压绝缘能力的耐压试验，前者jj是模拟间接雷击的影响（直接的雷击设备通常都无法承受）。1.2浪涌（冲击）抗扰度试验目的    本标准的目的是建立一个共同的基准，以评价电气和电子设备在遭受浪涌(冲击)时的性能。本标准规定了一个一致的试验方法，以评定设备或系统对规定现象的抗扰度。

辐射---场强

设备端口

电场天线

磁场天线

根据麦克斯韦方程，变化电场产生变化磁场，变化磁场产生变化电场。

设备内每个电路都可能是等效磁场天线，机壳和电缆都可能是等效电场天线的一部分。

辐射---测量范围

30mhz～18ghz，电磁兼容试验，测量电场（e）

1ghz以下，开阔场地或半电波暗室，半自由空间。

1ghz以上 全电波暗室，模拟自由空间。

9khz ～30mhz，测量磁场（ h ）

eut较小，放在大磁环天线（lla）中，电磁兼容监测，测量---磁场的感应电流。

eut较大，采用远天线法，用单小环在规定距离测量---的磁场强度。

辐射---测量天线

辐射---测量设备

9khz‐30mhz辐射---测量

30‐1000mhz辐射---测量

1‐18ghz辐射---测量




30‐1000mhz辐射---测量

辐射---场强计算

f (天线因子) = e/u

用db值表示为f(db) = e(db) – u(db)    e(db) = u(db) + f(db)

被测场强e(db) = 测量---读数u(db) + 天线系数f(db) + 电缆损耗l(db)

l2 （db）＝ l1 （db）+ 20lg（d1/d2）

式中l1和 l2分别为测试距离为d1 和d2时的辐射限值

待测物工作状态遵循原则

eut应按设计要求在额定（标称）工作电压和负载条件（机械性能和电气性能）下 运行。应尽可能使用实际负载；

试验程序应---ite（设备或系统）中的各个组成部分能够运行。